RTS-4/5/8/9四探針薄膜電阻率測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準而設計的，于測試半導體材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）的儀器。

RTS-4/5/8/9四探針薄膜電阻率測試儀

RTS-4四探針測試儀技術指標 ：

測量范圍

電阻率：0.0001～2000Ω.cm(可擴展)；  
方塊電阻：0.001～20000Ω/□(可擴展)； 
電導率：0.0005～10000s/cm； 
電阻：0.0001～2000Ω；

可測晶片直徑

 140mmX150mm(配S-2A型測試臺)；
 200mmX200mm(配S-2B型測試臺)；
 400mmX500mm(配S-2C型測試臺)；

恒流源：電流量程分為0.1mA、1mA、10mA、100mA四檔，各檔電流連續(xù)可調

數(shù)字電壓表：量程及表示形式：000.00～199.99mV；    
 分辨力：10μV；
 輸入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1% ；
顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動顯示；

四探針探頭基本指標  間距：1±0.01mm；
針間絕緣電阻：≥1000MΩ； 
機械游移率：≤0.3%；
探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；
探針壓力：5～16 牛頓(總力)；

四探針探頭應用參數(shù)  (見探頭附帶的合格證)

模擬電阻測量相對誤差
( 按JJG508-87進行)  0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字

整機測量大相對誤差 (用硅標樣片：0.01-180Ω.cm測試)≤±5%

整機測量標準不確定度  ≤5%

軟件功能（選配）軟件可記錄、保存、打印每一點的測試數(shù)據(jù)，并統(tǒng)計分析測試數(shù)據(jù)大值、小值、平均值、大百分變化、平均百分變化、徑向不均勻度、并將數(shù)據(jù)生成直方圖，也可把測試數(shù)據(jù)輸出到Excel中，對數(shù)據(jù)進行各種數(shù)據(jù)分析。軟件還可選擇自動測量功能，根據(jù)樣品電阻大小自動選擇適合電流量程檔測試。

計算機通訊接口：并口，高速并行采集數(shù)據(jù)，連接電腦使用時采集數(shù)據(jù)到電腦的時間只需要1.5秒

標準使用環(huán)境 溫度：23±2℃；
相對濕度：≤65%；
無高頻干擾；
無強光直射；

RTS-8四探針測試儀技術指標 ：

電阻率：10^-5～10⁵ Ω.cm(可擴展)；  
方塊電阻：10^-4～10⁶ Ω/□(可擴展)；
電導率：10^-5～10⁵  s/cm；

電阻：10^-5～10⁵  Ω；

可測晶片直徑

140mmX150mm(配S-2A型測試臺)；
200mmX200mm(配S-2B型測試臺)；

400mmX500mm(配S-2C型測試臺)；

恒流源電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，各檔電流連續(xù)可調

數(shù)字電壓表

量程及表示形式：000.00～199.99mV；    
分辨力：10μV；
輸入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1% ；

顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動顯示；

四探針探頭基本指標針：

間絕緣電阻：≥1000MΩ；

機械游移率：≤0.3%；
探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；
探針壓力：5～16 牛頓(總力)；

四探針探頭應用參數(shù) (見探頭附帶的合格證)

模擬電阻測量相對誤差
( 按JJG508-87進行)  0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字

整機測量大相對誤差(用硅標樣片：0.01-180Ω.cm測試)≤±5%

整機測量標準不確定度≤5%

測試模式：可連接電腦測試也可不連接電腦測試

軟件功能（選配）軟件可記錄、保存、打印每一點的測試數(shù)據(jù)，并統(tǒng)計分析測試數(shù)據(jù)大值、小值、平均值、大百分變化、平均百分變化、徑向不均勻度、并將數(shù)據(jù)生成直方圖，也可把測試數(shù)據(jù)輸出到Excel中，對數(shù)據(jù)進行各種數(shù)據(jù)分析。軟件還可選擇自動測量功能，根據(jù)樣品電阻大小自動選擇適合電流量程檔測試。

計算機通訊接口：并口，高速并行采集數(shù)據(jù)，連接電腦使用時采集數(shù)據(jù)到電腦的時間只需要1.5  秒（在 0.1mA、1mA、10mA、100mA量程檔時）。

RTS-9四探針測試儀技術指標 ：

電阻率：10^-5～10⁵ Ω.cm(可擴展)；  
方塊電阻：10^-4～10⁶ Ω/□(可擴展)；
電導率：10^-5～10⁵  s/cm；

電阻：10^-5～10⁵  Ω；

可測晶片厚度≤3mm

可測晶片直徑

140mmX150mm(配S-2A型測試臺)；
200mmX200mm(配S-2B型測試臺)；
400mmX500mm(配S-2C型測試臺)；

恒流源電 流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，各檔電流連續(xù)可調

數(shù)字電壓表  量程及表示形式：000.00～199.99mV；    
分辨力：10μV；
輸入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1% ；
顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動顯示；

四探針探頭基本指標  間距：1±0.01mm；
針間絕緣電阻：≥1000MΩ； 
機械游移率：≤0.3%；
探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；
探針壓力：5～16 牛頓(總力)；

四探針探頭應用參數(shù)  (見探頭附帶的合格證)

模擬電阻測量相對誤差
( 按JJG508-87進行)  0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字

整機測量大相對誤差 (用硅標樣片：0.01-180Ω.cm測試)≤±4%

整機測量標準不確定度  ≤4%

測試標準采用雙電測測試標準，通過RTS-9雙電測測試軟件控制四探針測試儀進行測量并實時采集兩次組合模式下的電壓值，然后根據(jù)雙電測測試原理公式計算出電阻值。儀器主機也可兼容RTS-8四探針測試軟件實現(xiàn)單電測測試標準，兩套軟件可同時使用。

軟件功能軟件可記錄、保存、打印每一點的測試數(shù)據(jù)，并統(tǒng)計分析測試數(shù)據(jù)大值、小值、平均值、大百分變化、平均百分變化、徑向不均勻度、并將數(shù)據(jù)生成直方圖，也可把測試數(shù)據(jù)輸出到Excel中，對數(shù)據(jù)進行各種數(shù)據(jù)分析。軟件還可選擇自動測量功能，根據(jù)樣品電阻大小自動選擇適合電流量程檔測試。

計算機通訊接口并口，高速并行采集數(shù)據(jù)。