Nolay10硅中氧碳含量測(cè)定儀
產(chǎn)品時(shí)間:2024-11-08
簡(jiǎn)要描述:
Nolay10硅中氧碳含量測(cè)定儀單晶硅材料可以用于制造太陽(yáng)能電池、半導(dǎo)體器件等,由于其應(yīng)用領(lǐng)域的特殊性要求其純度達(dá)到99.9999% 甚至更高。在單晶硅生產(chǎn)過程中由原料及方法等因素難以避免的引入了碳、氧等雜質(zhì),直接影響了單晶硅的性能。因而需對(duì)單晶硅材料中的氧碳含量進(jìn)行控制。
Nolay10硅中氧碳含量測(cè)定儀
單晶硅材料可以用于制造太陽(yáng)能電池、半導(dǎo)體器件等,由于其應(yīng)用領(lǐng)域的特殊性要求其純度達(dá)到99.9999% 甚至更高。在單晶硅生產(chǎn)過程中由原料及方法等因素難以避免的引入了碳、氧等雜質(zhì),直接影響了單晶硅的性能。因而需對(duì)單晶硅材料中的氧碳含量進(jìn)行控制。
依據(jù)G B/T 1558-2009和G B/T 1557-2006,紅外光譜法可以在對(duì)單晶硅中代位碳和間隙氧進(jìn)行定性的同時(shí)進(jìn)行定量測(cè)定,具有快速、方便、準(zhǔn)確的優(yōu)點(diǎn)。
原理
利用硅中代位碳原子和間隙氧原子分別在波數(shù)607.2cm -1和1107cm -1 有特征吸收,根據(jù)吸收峰的吸收系數(shù)來確定代位碳原子濃度和間隙氧原子的濃度。
Nolay10硅中氧碳含量測(cè)定儀規(guī)格參數(shù)
光譜范圍:7800~350 cm-1
分辨率:優(yōu)于1.0 cm-1
波數(shù)精度:≤0.01cm-1
信噪比:優(yōu)于15000:1/優(yōu)于30000:1(P-P值,4cm-1,一分鐘掃描) 可選
分束器:KBr基片鍍鍺(進(jìn)口)
光源:高能量、高效率、長(zhǎng)壽命陶瓷光源(進(jìn)口)
干涉儀:30度入射角Michelson干涉儀
接收器:帶有防潮膜的高靈敏度DLATGS接收器(進(jìn)口)
數(shù)據(jù)傳輸接口:USB2.0(兼容3.0)
支持系統(tǒng):Windows XP、Windows Vista、Windows 7、Windows 8、Windows 8.1、Windows 10
尺寸:450mm×350mm×235 mm
重量:14Kg